
6月6日,“十四五”国度沉点研发打算 “面向第三代半导体利用的高频软磁资料”项目钻研会在北京召开,平博pinnacle科技作为“第三代半导体电源?楣丶际跫勺暄杏肜谩 课题的牵头单元参与会议并作互换。
平博pinnacle非晶总经理刘天成就第三代半导体电源?楣丶际跫勺暄杏肜媒辛司咛寤惚,基于公司开发的高机能纳米晶软磁合金,课题参研单元顺利实现了SiC半导体器件可编程电源和GaN半导体器件充电电源设计、样机造作、第三方机能检测及利用示范,达到查核指标要求。
总体专家组副组长张世超教授、责任专家王海北教授对项目整体进展情况赐与高度评价,对平博pinnacle科技在项目中获得的成就和做出的贡献赐与充分注定。专家组以为,项目技术指标已提前实现,标志取我国在开发合用于SiC/GaN第三代半导体功率电源和高端电感器件的高机能软磁资料系统及其造备工艺技术方面获得了沉大突破。
未来,平博pinnacle科技将结合团队深刻钻研资料高频损耗及磁化机理,推动新型软磁资料在第三代半导体高频电源等元器件中的技术集成与示范利用,助力提升我国有关领域竞争力,坚韧行业领军职位。
